- Модель
- STGSH50M120D
- Производитель
- STMicroelectronics
- Категории
- Массивы IGBT
- Инкапсуляция
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
- Ток отсечки коллектора (макс.) 25 µA
- Мощность - Максимальная 536 W
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 69 A
- Корпус 9-PowerSMD
- Поставщик Устройство Корпус 9-ACEPACK SMIT
- Входная емкость (Cies) при Vce 3152 pF @ 25 V
