- Модель
- STGSH80HB65DAG
- Производитель
- STMicroelectronics
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- IGBT Тип -
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Мощность - Максимальная 250 W
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 83 A
- Корпус 9-PowerSMD
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 80A
- Поставщик Устройство Корпус 9-ACEPACK SMIT
- Входная емкость (Cies) при Vce 10450 pF @ 25 V
