- Модель
- STGWA75H65DFB2
- Производитель
- STMicroelectronics
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Класс -
- Квалификация -
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 357 W
- Ток коллектора импульсный (Icm) 225 A
- Поставщик Устройство Корпус TO-247 Long Leads
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 115 A
- Время обратного восстановления (trr) 88 ns
- Энергия переключения 1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
- Заряд затвора 207 nC
- Td (включено/выключено) @ 25°C 28ns/100ns
- Условия испытания 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
