- Модель
- VS-GT100TS065N
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Box
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 96 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 50 µA
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 100A
- Мощность - Максимальная 259 W
- Поставщик Устройство Корпус INT-A-PAK IGBT
