- Модель
- VS-GT200TS065N
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Box
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100 µA
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Мощность - Максимальная 517 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Поставщик Устройство Корпус INT-A-PAK IGBT
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 193 A
