- Модель
- VS-GT300TD60S
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Поставщик Устройство Корпус INT-A-PAK
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток отсечки коллектора (макс.) 200 µA
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 882 W
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 466 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.47V @ 15V, 300A
- Входная емкость (Cies) при Vce 24.2 nF @ 25 V
