- Модель
- WG50N65DHJQ
- Производитель
- WeEn Semiconductors
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Ток коллектора импульсный (Icm) 200 A
- Заряд затвора 160 nC
- Поставщик Устройство Корпус TO-247-3
- Время обратного восстановления (trr) 105 ns
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- Мощность - Максимальная 278 W
- Условия испытания 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 91 A
- Энергия переключения 1.7mJ (on), 600µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 66ns/163ns