- 型号
- DGTD65T50S1PT
- 分类
- 单管 IGBT
- 封装
- Tube
- RoHS
- 符合
规格参数
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Through Hole
- 封装 / 外壳 TO-247-3
- 输入类型 Standard
- 集电极脉冲电流 (Icm) 200 A
- 反向恢复时间 80 ns
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 集电极电流(Ic)(最大值) 100 A
- 供应商器件封装 TO-247
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
- 最大功率 375 W
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- IGBT类型 Field Stop
- 开关能量 770µJ (on), 550µJ (off)
- 栅极电荷 287 nC
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 58ns/328ns
- 测试条件 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V