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MIW100N65AT1Y-BP

IGBT TRENCH FS 650V 160A TO247AB

MIW100N65AT1Y-BP
型号
MIW100N65AT1Y-BP
分类
单管 IGBT
封装
Bulk
RoHS
符合
数据手册
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规格参数

  • 安装类型 Through Hole
  • 零件状态 Active
  • 等级 -
  • 认证 -
  • 封装 / 外壳 TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • 栅极电荷 260 nC
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 160 A
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 400 A
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 100A
  • 供应商器件封装 TO-247AB
  • 最大功率 535 W
  • 反向恢复时间 116 ns
  • 开关能量 4mJ (on), 2.4mJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 26ns/204ns
  • 测试条件 300V, 100A, 10Ohm, 15V

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