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NXH350N100H4Q2F2S1G-R

GEN1.5 1500V MASS MARKET

NXH350N100H4Q2F2S1G-R
型号
NXH350N100H4Q2F2S1G-R
制造商
onsemi
分类
IGBT 模块
封装
Tray
RoHS
符合
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规格参数

  • 零件状态 Obsolete
  • 安装类型 Chassis Mount
  • 封装 / 外壳 Module
  • 集电极截止电流(最大值) 1 mA
  • Input Standard
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1000 V
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC热敏电阻 Yes
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 配置 Three Level Inverter
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 303 A
  • 最大功率 592 W
  • 输入电容(Cies)@ Vce 24.146 nF @ 20 V
  • 供应商器件封装 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A

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