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RGW40TS65DGC11

IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N

RGW40TS65DGC11
型号
RGW40TS65DGC11
制造商
ROHM Semiconductor
分类
单管 IGBT
封装
Tube
RoHS
符合

规格参数

  • 安装类型 Through Hole
  • 零件状态 Not For New Designs
  • 封装 / 外壳 TO-247-3
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A
  • 最大功率 136 W
  • 测试条件 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 供应商器件封装 TO-247N
  • 栅极电荷 59 nC
  • 开关能量 330µJ (on), 300µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 33ns/76ns

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