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RJP65T43DPM-00#T1

IGBT TRENCH 650V 40A TO-3PFM

RJP65T43DPM-00#T1
型号
RJP65T43DPM-00#T1
分类
单管 IGBT
封装
Tube
RoHS
符合

规格参数

  • 安装类型 Through Hole
  • 零件状态 Discontinued at
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • 封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
  • 工作温度 175°C (TJ)
  • 栅极电荷 70 nC
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • IGBT类型 Trench
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
  • 测试条件 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 供应商器件封装 TO-3PFM
  • 最大功率 68.8 W
  • 开关能量 170µJ (on), 110µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 30ns/107ns

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