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STGB20H65DFB2

IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3

STGB20H65DFB2
型号
STGB20H65DFB2
制造商
STMicroelectronics
分类
单管 IGBT
封装
Cut Tape (CT)
RoHS
符合
数据手册
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规格参数

  • 零件状态 Last Time Buy
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 等级 -
  • 认证 -
  • 封装 / 外壳 TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 60 A
  • 供应商器件封装 D2PAK-3
  • 栅极电荷 56 nC
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 测试条件 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 最大功率 147 W
  • 反向恢复时间 215 ns
  • 开关能量 265µJ (on), 214µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 16ns/78.8ns

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