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STGD4H60DF

IGBT TRENCH FS 600V 8A DPAK

STGD4H60DF
型号
STGD4H60DF
制造商
STMicroelectronics
分类
单管 IGBT
封装
Cut Tape (CT)
RoHS
符合
数据手册
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规格参数

  • 零件状态 Active
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 600 V
  • 输入类型 Standard
  • 封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 8 A
  • 最大功率 75 W
  • 栅极电荷 35 nC
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 16 A
  • 反向恢复时间 73 ns
  • 测试条件 400V, 3A, 47Ohm, 15V
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 3A
  • 开关能量 68µJ (on), 45µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 35ns/121ns
  • 供应商器件封装 DPAK (TO-252) type C2

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