菜单
联系
并询价
产品

STGWA50H65DFB2

IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247

STGWA50H65DFB2
型号
STGWA50H65DFB2
制造商
STMicroelectronics
分类
单管 IGBT
封装
Bulk
RoHS
符合
数据手册
下载

规格参数

  • 安装类型 Through Hole
  • 零件状态 Active
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 封装 / 外壳 TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 150 A
  • 反向恢复时间 92 ns
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 最大功率 272 W
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 86 A
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
  • 供应商器件封装 TO-247 Long Leads
  • 测试条件 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • 栅极电荷 151 nC
  • 开关能量 910µJ (on), 580µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 28ns/115ns

扫描二维码关注我们的微信公众号。

微信二维码
关闭微信弹窗