- Modelo
- APT35GN120SG/TR
- Fabricante
- Microchip Technology
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 84 A
- Carga de Puerta 220 nC
- Proveedor Dispositivo Paquete D3PAK
- Tipo de IGBT NPT, Trench Field Stop
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 105 A
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
- Potencia - Máx 379 W
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 24ns/300ns
- Condición de Prueba 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
- Energía de Conmutación -, 2.315mJ (off)