- Modelo
- APT50GN60BDQ3G
- Fabricante
- Microchip Technology
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 600 V
- 输入类型 Standard
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 35 ns
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 150 A
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 107 A
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
- Potencia - Máx 366 W
- Carga de Puerta 325 nC
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 20ns/230ns
- Condición de Prueba 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
- Energía de Conmutación 1.185mJ (on), 1.565mJ (off)