- Modelo
- APT75GN60BDQ2G
- Fabricante
- Microchip Technology
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 600 V
- 输入类型 Standard
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 25 ns
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247-3
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Potencia - Máx 536 W
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 225 A
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 155 A
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A
- Carga de Puerta 485 nC
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 47ns/385ns
- Condición de Prueba 400V, 75A, 1Ohm, 15V
- Energía de Conmutación 2.5mJ (on), 2.14mJ (off)