- Modelo
- APTGT100DH60T3G
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Bulk
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Through Hole
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 600 V
- 输入 Standard
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 250 µA
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Termistor NTC Yes
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 150 A
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Paquete / Carcasa SP3
- Proveedor Dispositivo Paquete SP3
- Configuración Asymmetrical Bridge
- Potencia - Máx 340 W
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 6.1 nF @ 25 V