APTGT50DH120T3G

Especificaciones técnicas

• Estado de la Pieza Obsolete
• Tipo de Montaje Chassis Mount
• Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
• Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
• 输入 Standard
• Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 75 A
• Corriente - Corte del Colector (Máx.) 250 µA
• Termistor NTC Yes
• Tipo de IGBT Trench Field Stop
• Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
• Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V
• Potencia - Máx 277 W
• Paquete / Carcasa SP3
• Proveedor Dispositivo Paquete SP3
• Configuración Asymmetrical Bridge