- Modelo
- APTGT75A1202G
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Bulk
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Configuración Half Bridge
- 输入 Standard
- Termistor NTC No
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 110 A
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 50 µA
- Potencia - Máx 357 W
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 5.34 nF @ 25 V
- Paquete / Carcasa SP2
- Proveedor Dispositivo Paquete SP2