APTGX50H120T1G

Especificaciones técnicas

• Estado de la Pieza Active
• Tipo de Montaje Chassis Mount
• Proveedor Dispositivo Paquete -
• Paquete / Carcasa Module
• Tipo de IGBT -
• Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
• Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 90 A
• 输入 Standard
• Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
• Termistor NTC Yes
• Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
• Corriente - Corte del Colector (Máx.) 10 µA
• Configuración Full Bridge
• Potencia - Máx 276 W
• Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 11100 pF @ 25 V