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Producto

FF150R12W2T7EB11BPSA1

FF150R12W2T7EB11BPSA1

FF150R12W2T7EB11BPSA1
Modelo
FF150R12W2T7EB11BPSA1
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Proveedor Dispositivo Paquete -
  • Paquete / Carcasa Module
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • 输入 Standard
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 135 A
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC Yes
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Potencia - Máx 20 mW
  • Configuración Half Bridge Inverter
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 150A
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 11 µA
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 30100 pF @ 25 V

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