Menú
Contacto
y solicitar cotización
Producto

FF900R12ME7WBPSA1

FF900R12ME7WBPSA1

FF900R12ME7WBPSA1
Modelo
FF900R12ME7WBPSA1
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Proveedor Dispositivo Paquete -
  • Paquete / Carcasa Module
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • 输入 Standard
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 100 µA
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Potencia - Máx 20 mW
  • Configuración Half Bridge Inverter
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 900A
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 890 A
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 122000 pF @ 25 V

Escanea el código QR para seguir nuestra cuenta oficial de WeChat.

Código QR de WeChat
Cerrar la ventana emergente de WeChat