- Modelo
- FGA30N65SMD
- Fabricante
- Fairchild Semiconductor
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Bulk
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 35 ns
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 60 A
- Potencia - Máx 300 W
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3PN
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 90 A
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
- Carga de Puerta 87 nC
- Tipo de IGBT Field Stop
- Energía de Conmutación 716µJ (on), 208µJ (off)
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 14ns/102ns
- Condición de Prueba 400V, 30A, 6Ohm, 15V