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Producto

FP50R12N2T7PBPSA1

1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE

FP50R12N2T7PBPSA1
Modelo
FP50R12N2T7PBPSA1
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple
Hoja de datos
Descargar

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 50 A
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Configuración Three Phase Inverter
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Termistor NTC Yes
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Proveedor Dispositivo Paquete AG-ECONO2B
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 25A
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 11.1 nF @ 25 V
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 4 µA

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