- Modelo
- GA35XCP12-247
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Through Hole
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Carga de Puerta 50 nC
- Tipo de IGBT PT
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 36 ns
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247AB
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 35 A
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
- Energía de Conmutación 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
- Condición de Prueba 800V, 35A, 22Ohm, 15V