- Modelo
- GB100XCP12-227
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Bulk
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Configuración Single
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 1 mA
- 输入 Standard
- Termistor NTC No
- Proveedor Dispositivo Paquete SOT-227
- Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de IGBT PT
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 A
- Paquete / Carcasa SOT-227-4
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 8.55 nF @ 25 V
