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Producto

GH50H65DRB2-7AG

IGBT

GH50H65DRB2-7AG
Modelo
GH50H65DRB2-7AG
Fabricante
STMicroelectronics
Categorías
IGBTs individuales
Encapsulación
Bulk
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 输入类型 Standard
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm) 200 A
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
  • Condición de Prueba 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Potencia - Máx 385 W
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 108 A
  • Proveedor Dispositivo Paquete H2PAK-7
  • Carga de Puerta 152 nC
  • Energía de Conmutación 557µJ (off)
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C -/117ns
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 912 ns

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