- Modelo
- GT10G131(TE12L,Q)
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tape & Reel (TR)
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Potencia - Máx 1 W
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Tipo de IGBT -
- 输入类型 Standard
- Condición de Prueba -
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 400 V
- Energía de Conmutación -
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 200 A
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOP (5.5x6.0)
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 3.1µs/2µs
