- Modelo
- GT30J121(Q)
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de IGBT -
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 600 V
- 输入类型 Standard
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 30 A
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 60 A
- Potencia - Máx 170 W
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P(N)
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
- Energía de Conmutación 1mJ (on), 800µJ (off)
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 90ns/300ns
- Condición de Prueba 300V, 30A, 24Ohm, 15V
