GT30J65MRB,S1E

Especificaciones técnicas

• Tipo de Montaje Through Hole
• Estado de la Pieza Active
• Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 200 ns
• Tipo de IGBT -
• 输入类型 Standard
• Potencia - Máx 200 W
• Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
• Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 60 A
• Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
• Temperatura de Operación 175°C (TJ)
• Carga de Puerta 70 nC
• Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P(N)
• Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
• Energía de Conmutación 1.4mJ (on), 220µJ (off)
• Td (encendido/apagado) @ 25°C 75ns/400ns
• Condición de Prueba 400V, 15A, 56Ohm, 15V