- Modelo
- GT30N135SRA,S1E
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Paquete / Carcasa TO-247-3
- Tipo de IGBT -
- 输入类型 Standard
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 60 A
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 120 A
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-247
- Carga de Puerta 270 nC
- Potencia - Máx 348 W
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1350 V
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 60A
- Energía de Conmutación -, 1.3mJ (off)
- Condición de Prueba 300V, 60A, 39Ohm, 15V
