- Modelo
- GT40WR21,Q
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tray
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de IGBT -
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 40 A
- 输入类型 Standard
- Condición de Prueba -
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Energía de Conmutación -
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 80 A
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P(N)
- Potencia - Máx 375 W
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1350 V
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 5.9V @ 15V, 40A
