- Modelo
- GT50JR22(STA1,E,S)
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de IGBT -
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 600 V
- 输入类型 Standard
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 50 A
- Condición de Prueba -
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Energía de Conmutación -
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 100 A
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Potencia - Máx 230 W
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P(N)
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
