- Modelo
- GT50N322A
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tray
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Tipo de IGBT -
- 输入类型 Standard
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 50 A
- Condición de Prueba -
- Paquete / Carcasa TO-3P-3, SC-65-3
- Energía de Conmutación -
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 120 A
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1000 V
- Potencia - Máx 156 W
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P(N)
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 800 ns
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
