- Modelo
- GT60N321(Q)
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Tube
- RoHS
- Cumple
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Through Hole
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Tipo de IGBT -
- 输入类型 Standard
- Condición de Prueba -
- Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 2.5 µs
- Energía de Conmutación -
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 60 A
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 120 A
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1000 V
- Potencia - Máx 170 W
- Paquete / Carcasa TO-3PL
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 330ns/700ns
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-3P(LH)
