HGTD3N60B3S

Especificaciones técnicas

• Estado de la Pieza Active
• Tipo de Montaje Surface Mount
• Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
• Tipo de IGBT -
• Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 600 V
• 输入类型 Standard
• Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
• Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 7 A
• Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 16 ns
• Proveedor Dispositivo Paquete TO-252 (DPAK)
• Corriente - Colector Pulsada (Icm) 20 A
• Carga de Puerta 21 nC
• Potencia - Máx 33.3 W
• Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3.5A
• Energía de Conmutación 66µJ (on), 88µJ (off)
• Td (encendido/apagado) @ 25°C 18ns/105ns
• Condición de Prueba 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V