- Modelo
- HGTP10N50E1D
- Fabricante
- Harris Corporation
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Bulk
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete TO-220
- Tipo de IGBT -
- 输入类型 Standard
- Condición de Prueba -
- Energía de Conmutación -
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 500 V
- Carga de Puerta 19 nC
- Potencia - Máx 75 W
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 3.2V @ 20V, 17.5A
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 17.5 A
