- Modelo
- IGD08N120S7ATMA1
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Categorías
- IGBTs individuales
- Encapsulación
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado -
- Calificación -
- 输入类型 Standard
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Carga de Puerta 55 nC
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 24 A
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO252-3
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 24 A
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Potencia - Máx 106 W
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 8A
- Condición de Prueba 600V, 8A, 20Ohm, 15V
- Energía de Conmutación 460µJ (on), 410µJ (off)
- Td (encendido/apagado) @ 25°C 15ns/149ns