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Producto

MIB30N65AT1Y-TP

IGBT DISCRETE,D2-PAK

MIB30N65AT1Y-TP
Modelo
MIB30N65AT1Y-TP
Categorías
IGBTs individuales
Encapsulación
Tape & Reel (TR)
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Grado -
  • Calificación -
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Proveedor Dispositivo Paquete D2PAK
  • Carga de Puerta 160 nC
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm) 60 A
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Potencia - Máx 136 W
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr) 114 ns
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A
  • Energía de Conmutación 1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C 58ns/93ns
  • Condición de Prueba 400V, 30A, 20Ohm, 15V

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