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Producto

MIF100R12C1TF-BP

GBT MODULES

MIF100R12C1TF-BP
Modelo
MIF100R12C1TF-BP
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tape & Reel (TR)
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 1 mA
  • 输入 Standard
  • Termistor NTC No
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 A
  • Tipo de IGBT Trench
  • Configuración Half Bridge Inverter
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
  • Potencia - Máx 789 W
  • Proveedor Dispositivo Paquete C1
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 6450 pF @ 25 V

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