Menú
Contacto
y solicitar cotización
Producto

MIP100R12E2TN-BP

GBT MODULES

MIP100R12E2TN-BP
Modelo
MIP100R12E2TN-BP
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tape & Reel (TR)
RoHS
Cumple
Hoja de datos
Descargar

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Proveedor Dispositivo Paquete -
  • Paquete / Carcasa Module
  • Tipo de IGBT -
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 1 mA
  • Configuración Three Phase Inverter
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 A
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 100A
  • Potencia - Máx 555 W
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 6800 pF @ 25 V

Escanea el código QR para seguir nuestra cuenta oficial de WeChat.

Código QR de WeChat
Cerrar la ventana emergente de WeChat