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Producto

MIP35R12P3STN-BP

IGBT DISCRETE

MIP35R12P3STN-BP
Modelo
MIP35R12P3STN-BP
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Bulk
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Tipo de IGBT -
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 1 mA
  • Configuración Three Phase Inverter with Brake
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Termistor NTC Yes
  • Potencia - Máx 215 W
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 35 A
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 35A
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 2500 pF @ 25 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete P3S

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