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Producto

MIP50R12E2ATN-BP

IGBT MODULES 1200V 50A, E2A

MIP50R12E2ATN-BP
Modelo
MIP50R12E2ATN-BP
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Bulk
RoHS
Cumple
Hoja de datos
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Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Tipo de IGBT -
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 50 A
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 1 mA
  • Configuración Three Phase Inverter
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Termistor NTC Yes
  • Potencia - Máx 288 W
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 2.6 nF @ 25 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete E2A

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