- Modelo
- NXH200B100H4F2SG-R
- Fabricante
- onsemi
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Tray
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1000 V
- Termistor NTC Yes
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100 A
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 200 µA
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A
- Configuración Three Level Inverter
- Potencia - Máx 93 W
- Proveedor Dispositivo Paquete 36-PIM (56.7x48)
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 6523 pF @ 20 V
