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Producto

NXH240B120H3Q1PG

PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

NXH240B120H3Q1PG
Modelo
NXH240B120H3Q1PG
Fabricante
onsemi
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple
Hoja de datos
Descargar

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 400 µA
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 68 A
  • Configuración Triple, Dual - Common Source
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
  • Potencia - Máx 158 W
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 18.151 nF @ 20 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 32-PIM (71x37.4)

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