Menú
Contacto
y solicitar cotización
Producto

NXH35C120L2C2SG

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

NXH35C120L2C2SG
Modelo
NXH35C120L2C2SG
Fabricante
onsemi
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tube
RoHS
Cumple

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Tipo de IGBT -
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 250 µA
  • Configuración Three Phase Inverter with Brake
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 35 A
  • Potencia - Máx 20 mW
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 35A
  • Paquete / Carcasa 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 26-DIP
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 8.33 nF @ 20 V

Escanea el código QR para seguir nuestra cuenta oficial de WeChat.

Código QR de WeChat
Cerrar la ventana emergente de WeChat