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Producto

NXH400B100H4Q2F2SG

N06NF Q2BOOST#1

NXH400B100H4Q2F2SG
Modelo
NXH400B100H4Q2F2SG
Fabricante
onsemi
Categorías
Módulos IGBT
Encapsulación
Tray
RoHS
Cumple
Hoja de datos
Descargar

Especificaciones técnicas

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • 输入 Standard
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1000 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC Yes
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 10 µA
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Configuración Three Level Inverter
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 164 A
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • Potencia - Máx 396 W
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 12687.7 pF @ 20 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 50-PIM (93x47)

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