- Modelo
- NXH50M65L4Q1PTG
- Fabricante
- onsemi
- Categorías
- Módulos IGBT
- Encapsulación
- Tray
- RoHS
- Cumple
- Hoja de datos
- Descargar
Especificaciones técnicas
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Paquete / Carcasa Module
- 输入 Standard
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 48 A
- Termistor NTC Yes
- Temperatura de Operación 175°C (TJ)
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
- Tipo de IGBT Trench Field Stop
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 300 µA
- Configuración Full Bridge
- Potencia - Máx 86 W
- Proveedor Dispositivo Paquete 53-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 50A
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 3.137 nF @ 20 V